LabCom ST-IMS

Le LabCom ST-IMS implique 17 ingénieurs de STMicroelectronics et 15 chercheurs du laboratoire IMS. 15 doctorants effectuent en ce moment une thèse dans le cadre des collaborations scientifiques du laboratoire commun.

Ces activités se déclinent en 3 programmes techniques autour des technologies silicium :

• Le thème « Conception », porte sur le développement de concepts novateurs pour les circuits RF (radio-fréquence) et en gamme millimetrique (mmW) et les systèmes de signal analogique-mixte. Cela comprend la conception d'amplificateurs de puissance, de synthétiseurs de fréquence et de processeurs de signal numérique RF, en utilisant des technologies avancées comme les FD-SOI, RF-SOI et les BiCMOS. Pour chaque technologie Silicium utilisée, les solutions circuit et/ou système proposée vont à chaque fois tirer bénéfice des particularités de la technologie choisie. Ceci donnera des implémentations à l’Etat de l’Art permettant également de mettre en valeur les qualités uniques des technologies de STMicroelectronics, dans les domaines d’application choisis.
• Le thème « Modélisation » s’intéresse à l’étude, la modélisation et la caractérisation des technologies et les composants semiconducteurs. Grâce aux moyens de caractérisation de la plateforme Intégration du laboratoire IMS, des recherches sont menées sur de la mesure de transistors SiGe HBT et CMOS SOI jusqu’à des fréquences de 500 GHz. Les recherches portent également sur le développement de modèles compacts pour améliorer la précision des simulations de conception.
• Le thème « Fiabilité » s’intéresse plus spécifiquement à la fiabilité et à la robustesse des interconnexions 3D dans les assemblages des puces électroniques. Des tests de vieillissement accéléré sont ainsi développés dans le cadre de la recherche sur les mécanismes de défaillance. Les recherches portent également sur l’étude et la modélisation de la fiabilité opérationnelle de transistors HBT (transistor bipolaire à hétérojonction) à faible et moyenne puissance.